平成28年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問21
テクノロジ／ハードウェアフラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
出典：平成28年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問21
- ア高速に書換えができ，CPUのキャッシュメモリに用いられる。
- イ紫外線で全内容の消去ができる。
- ウ周期的にデータの再書込みが必要である。
- エブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
正解：エ
解説
フラッシュメモリは不揮発性の半導体メモリで，データの消去はブロック（セクタ）単位でまとめて電気的に行われます。
選択肢ごとの解説
- ア誤り。高速に書き換えられCPUのキャッシュメモリに用いられるのはSRAMの説明です。
- イ誤り。紫外線で全内容を消去できるのはEPROM（紫外線消去型ROM）の説明です。
- ウ誤り。周期的なデータの再書込み（リフレッシュ）が必要なのはDRAMの説明です。
- エ正しい。フラッシュメモリは，ブロック単位で電気的に内容を消去できます。