平成30年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問10
テクノロジ／コンピュータ構成要素相変化メモリの説明として，適切なものはどれか。
出典：平成30年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問10
- ア一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリ
- イ結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
- ウフリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
- エリフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ
正解：イ
解説
相変化メモリ（PRAM）は，カルコゲナイド系材料の結晶状態（低抵抗）と非結晶状態（高抵抗）の違いを利用してデータを記憶する不揮発性メモリです。電源を切っても記憶内容が保持され，書換えも可能です。
選択肢ごとの解説
- ア誤り。一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリはPROM（ライトワンスメモリ）などの説明です。
- イ正しい。結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリが相変化メモリです。
- ウ誤り。フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリはSRAMの説明です。
- エ誤り。リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリはDRAMの説明です。