平成30年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問10
テクノロジ／コンピュータ構成要素NAND 型フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
出典：平成30年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問10
- アバイト単位で書込み，ページ単位で読出しを行う。
- イバイト単位で書込み及び読出しを行う。
- ウページ単位で書込み，バイト単位で読出しを行う。
- エページ単位で書込み及び読出しを行う。
正解：エ
解説
NAND型フラッシュメモリは，ページと呼ばれる単位でデータの書込み及び読出しを行い，消去はブロック単位で行うという特徴があります。バイト単位でのランダムアクセスには向きません。
選択肢ごとの解説
- ア誤り。バイト単位で書込みを行うわけではなく，書込みはページ単位です。
- イ誤り。バイト単位で書込み及び読出しを行うのはNOR型フラッシュメモリの特徴に近い記述です。
- ウ誤り。読出しもページ単位で行われるため，バイト単位という記述は誤りです。
- エ正しい。NAND型フラッシュメモリは，書込み及び読出しの両方をページ単位で行います。