令和5年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問11
テクノロジ／コンピュータ構成要素フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として，適切なものはどれか。
出典：令和5年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問11
- ア各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように，物理的な書込み位置を選択する。
- イ記憶するセルの電子の量に応じて，複数のビット情報を記録する。
- ウ不良のブロックを検出し，交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
- エブロック単位でデータを消去し，新しいデータを書き込む。
正解：ア
解説
フラッシュメモリは書換え回数に上限があるため，特定のブロックに書込みが集中すると早期に劣化します。ウェアレベリング（wear leveling）は，各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように物理的な書込み位置を分散させて，メモリ全体の寿命を延ばす技術です。
選択肢ごとの解説
- ア正しい。書込み回数を均等化するように物理的な書込み位置を選択するのがウェアレベリングです。
- イ誤り。セルの電子量に応じて複数ビットを記録するのは多値化技術（MLC，TLC など）の説明です。
- ウ誤り。不良ブロックを正常な予備ブロックで置き換えるのは代替処理（不良ブロック管理）の説明です。
- エ誤り。ブロック単位でデータを消去して書き込むのはフラッシュメモリの基本動作の説明であり，ウェアレベリングではありません。