平成29年度 春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問3

解説

フラッシュメモリのメモリセルは，1個のセルに1ビットの情報だけを記憶するSLC（Single-Level Cell）型と，1個のセルの電荷量を複数段階に分けて制御することによって1個のセルに複数ビットの情報を記憶するMLC（Multi-Level Cell）型に大別されます。MLC型は，同じセル数でより多くのビットを記憶できるため，1セル当たりの記憶容量（実質的な集積度）が大きく，同じチップ面積でより大容量化・低コスト化を図れる点がSLC型に対する優れた点です。一方で，MLC型はセル内の電荷量を多段階で精密に判別する必要があるため，SLC型と比較して書換え時間が長く，書換え可能回数が少なく，データ保持期間も短くなる傾向があります。

選択肢ごとの解説

• ア誤り。MLC型は，セル内の電荷量を複数段階に分けて精密に制御・判別する必要があるため，SLC型よりも1セル当たりの書換え時間はむしろ長くなる傾向があります。
• イ正しい。MLC型は1個のセルに複数ビットの情報を記憶できるため，SLC型と比較して1セル当たりの記憶容量が大きいという優れた点があります。
• ウ誤り。MLC型は，セル内の電荷量の精密な制御が必要な分，SLC型よりも書換え可能回数は少なくなる傾向があり，優れている点ではありません。
• エ誤り。MLC型は，多値化によってセル内の電荷量の差が小さくなるため，SLC型よりもデータ保持期間はむしろ短くなる傾向があり，優れている点ではありません。