平成31年度 春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問2

解説

MLC（Multi-Level Cell）フラッシュメモリは，一つのメモリセルに蓄える電荷量を複数の段階（レベル）に分けて制御することによって，1 セル当たり 2 ビット以上のデータを記憶する方式です。これに対し，1 セルに 1 ビットだけを記憶する方式は SLC（Single Level Cell）と呼ばれます。MLC は SLC に比べて同じセル数でより大きな記憶容量を実現できますが，書込み・消去速度や書換え耐性の面では SLC に劣ります。

選択肢ごとの解説

• ア誤り。コンデンサに蓄えた電荷を用いてデータを記憶する方式は，DRAM の説明です。フラッシュメモリはフローティングゲートに電荷を蓄積する方式であり，DRAM のようなコンデンサとリフレッシュ動作を用いるものではありません。
• イ誤り。電気抵抗の値を用いてデータを記憶する方式は，ReRAM（抵抗変化型メモリ）などの説明であり，フラッシュメモリの記憶原理ではありません。
• ウ正しい。MLC フラッシュメモリは，一つのメモリセルに蓄える電荷量を多段階に制御することによって，2 ビット以上のデータを記憶します。
• エ誤り。フリップフロップを利用してデータを記憶する方式は，SRAM の説明です。フラッシュメモリは不揮発性メモリであり，フリップフロップのような揮発性の記憶素子は用いません。