平成26年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問21
テクノロジ／コンピュータ構成要素フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
出典：平成26年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問21
- ア高速に書換えができ，CPU のキャッシュメモリなどに用いられる。
- イ紫外線で全内容の消去ができる。
- ウ周期的にデータの再書込みが必要である。
- エブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
正解：エ
解説
フラッシュメモリは，EEPROMを改良した不揮発性メモリで，ブロック（消去単位）ごとに電気的にまとめて内容を消去できる点が特徴です。USBメモリやSSDなどに広く使われています。
選択肢ごとの解説
- ア誤り。高速な書換えができCPUのキャッシュに用いられるのはSRAMの説明です。
- イ誤り。紫外線で全内容を消去できるのはEPROM（紫外線消去型ROM）の説明です。
- ウ誤り。周期的な再書込み（リフレッシュ）が必要なのはDRAMの説明です。
- エ正しい。フラッシュメモリは，ブロック単位で電気的に内容を消去できる不揮発性メモリです。