平成30年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問22
テクノロジ／ハードウェアフラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
出典：平成30年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問22
- ア高速に書換えができ，CPUのキャッシュメモリに用いられる。
- イ紫外線で全データを一括消去できる。
- ウ周期的にデータの再書込みが必要である。
- エブロック単位で電気的にデータの消去ができる。
正解：エ
解説
フラッシュメモリは，不揮発性の半導体メモリであり，ブロック（セクタ）単位で電気的にデータを消去し，新たなデータを書き込むことができる記憶装置です。USBメモリやSSD，SDメモリカードなどに広く利用されています。
選択肢ごとの解説
- ア誤り。高速に書換えができCPUのキャッシュメモリに用いられるのは，SRAMの特徴です。
- イ誤り。紫外線を照射して全データを一括消去できるのは，EPROMの特徴です。
- ウ誤り。周期的にデータの再書込み（リフレッシュ）が必要なのは，DRAMの特徴です。
- エ正しい。フラッシュメモリは，ブロック単位で電気的にデータを消去できる不揮発性メモリです。