令和5年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問21
テクノロジ／ハードウェアMOS トランジスタの説明として，適切なものはどれか。
出典：令和5年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問21
- アpn 接合における電子と正孔の再結合によって光を放出するという性質を利用した半導体素子
- イpn 接合部に光が当たると電流が発生するという性質を利用した半導体素子
- ウ金属と半導体との間に酸化物絶縁体を挟んだ構造をもつことが特徴の半導体素子
- エ逆方向電圧をある電圧以上印加すると，電流だけが増加し電圧がほぼ一定に保たれるという特性をもつ半導体素子
正解：ウ
解説
MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）トランジスタは，金属（Metal）と半導体（Semiconductor）の間に酸化物（Oxide）の絶縁体を挟んだ構造をもつトランジスタです。ゲートに加える電圧で電流を制御し，消費電力が小さいため集積回路で広く使われています。
選択肢ごとの解説
- ア誤り。pn 接合の再結合による発光を利用するのは LED（発光ダイオード）の説明です。
- イ誤り。pn 接合部に光が当たると電流が発生する性質を利用するのはフォトダイオードや太陽電池の説明です。
- ウ正しい。金属―酸化物（絶縁体）―半導体の3層構造が MOS の名前の由来です。
- エ誤り。逆方向電圧を一定以上印加すると電流が増加し電圧がほぼ一定に保たれるのはツェナーダイオード（定電圧ダイオード）の説明です。