平成28年度 春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問13
テクノロジ／コンピュータ構成要素FeRAMの説明として，適切なものはどれか。
出典：平成28年度 春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問13
- ア1ビットのメモリセルは4〜6個のトランジスタで構成される。
- イデータ保持のためにリフレッシュが必要である。
- ウバイト単位で書換えができず，ブロック単位で一括して書き換える。
- エフラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く，書換え速度も高速にできる。
正解：エ
解説
FeRAM（強誘電体メモリ，Ferroelectric RAM）は，強誘電体材料の分極特性を利用してデータを記憶する不揮発性メモリです。フラッシュメモリのようにブロック単位で消去してから書き込む必要がなく，DRAMやSRAMと同様にバイト単位で直接書換えができる点，データを保持するためのリフレッシュ動作が不要である点，そしてフラッシュメモリと比較して書換え可能回数が非常に多く，書込み・消去にかかる時間も短く高速である点が特徴です。
選択肢ごとの解説
- ア誤り。1ビットのメモリセルを4〜6個のトランジスタで構成するのは，SRAMの特徴であり，FeRAMのメモリセルは一般に1個のトランジスタと1個の強誘電体キャパシタ（1T1C構成）などで構成されます。
- イ誤り。FeRAMは不揮発性メモリであり，DRAMとは異なりデータ保持のためのリフレッシュ動作は不要です。
- ウ誤り。バイト単位で書換えができず，ブロック単位で一括して書き換える必要があるのは，フラッシュメモリの特徴であり，FeRAMはバイト単位で直接書換えが可能です。
- エ正しい。FeRAMは，フラッシュメモリと比較して書換え可能回数が非常に多く，書換え（書込み・消去）の速度も高速にできるという優れた特徴をもっています。