令和7年度 秋期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問3
テクノロジ／コンピュータ構成要素FeRAM の説明として，適切なものはどれか。
出典：令和7年度 秋期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問3
- ア1 ビットのメモリセルは 4 個～6 個のトランジスタで構成される。
- イデータ保持のためにリフレッシュが必要である。
- ウバイト単位で書換えができず，ブロック単位で一括して書き換える。
- エフラッシュメモリよりも書換え可能回数が多く，書換え速度も高速にできる。
正解：エ
解説
FeRAM（強誘電体メモリ）は，強誘電体材料の分極状態を利用してデータを不揮発に記憶するメモリです。1 ビットを 1 個のトランジスタと 1 個の強誘電体キャパシタで構成でき，リフレッシュが不要で，バイト単位の高速な書換えが可能です。フラッシュメモリと比べて書換え可能回数が多く，書込み速度も高速という特長があります。
選択肢ごとの解説
- ア誤り。1 ビットのメモリセルを 4 個～6 個のトランジスタで構成するのは SRAM の説明です。FeRAM は 1 トランジスタ・1 キャパシタ構成が一般的です。
- イ誤り。データ保持にリフレッシュが必要なのは DRAM の特徴です。FeRAM は不揮発性メモリであり，リフレッシュは不要です。
- ウ誤り。バイト単位で書換えができずブロック単位で一括消去・書換えが必要なのはフラッシュメモリの特徴です。FeRAM はバイト単位で書換えができます。
- エ正しい。FeRAM はフラッシュメモリと比べて書換え可能回数が多く，書込み速度も高速にできる不揮発性メモリです。