平成23年度 秋期 基本情報技術者試験 午前 問25
テクノロジ／コンピュータ構成要素フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。
出典：平成23年度 秋期 基本情報技術者試験 午前 問25
- ア高速に書換えができ，CPUのキャッシュメモリなどに用いられる。
- イ紫外線で全内容の消去ができる。
- ウ周期的にデータの再書込みが必要である。
- エブロック単位で電気的に消去できる。
正解：エ
解説
フラッシュメモリは電気的に書換え可能な不揮発性メモリで，データの消去や書込みをブロック（セクタ）単位で電気的に行うことができるのが特徴です。
選択肢ごとの解説
- ア誤り。CPUのキャッシュメモリには，より高速なSRAMが用いられ，フラッシュメモリは書換え速度の面で適していません。
- イ誤り。紫外線消去はEPROMの特徴であり，フラッシュメモリは電気的に消去します。
- ウ誤り。DRAMのようにリフレッシュ（再書込み）が必要なのはDRAMの特徴で，フラッシュメモリは不揮発性のため再書込みは不要です。
- エ正しい。フラッシュメモリは，ブロック単位でデータを電気的に消去・書換えできる不揮発性メモリです。