平成25年度 春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問13
テクノロジ／ハードウェアTSV（Through-Silicon Via）を用いた半導体チップの 3 次元実装技術の説明として，適切なものはどれか。
出典：平成25年度 春期 エンベデッドシステムスペシャリスト試験 午前Ⅱ 問13
- ア積層した半導体チップ同士を貫通電極で接続する。
- イ積層した半導体チップ同士をボンディングワイヤで接続する。
- ウ絶縁膜上に形成した単結晶シリコンを基板とする。
- エチップと同程度のサイズでパッケージに封入する。
正解：ア
解説
TSV（Through-Silicon Via，シリコン貫通電極）は，シリコン基板を垂直に貫通する微細な電極（ビア）を形成し，積層した複数の半導体チップ同士をこの貫通電極によって直接電気的に接続する3次元実装技術です。チップ間の配線長を短縮でき，ボンディングワイヤを用いる従来の積層方式に比べて高速化・小型化に有利です。
選択肢ごとの解説
- ア正しい。TSVは，積層した半導体チップ同士をシリコン基板を貫通する電極（貫通電極）で電気的に接続する技術です。
- イ誤り。積層したチップ同士をボンディングワイヤで接続する方式は，ワイヤボンディングによる従来の積層実装技術であり，TSVとは異なる接続方式です。
- ウ誤り。絶縁膜上に形成した単結晶シリコンを基板とする技術はSOI（Silicon On Insulator）に関する説明であり，TSVによる3次元実装技術の説明ではありません。
- エ誤り。チップと同程度のサイズでパッケージに封入する技術はCSP（Chip Size Package）に関する説明であり，チップ間を貫通電極で接続するTSVの説明ではありません。