平成22年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問24
テクノロジ／ハードウェアフラッシュメモリの説明として，適切なものはどれか。
出典：平成22年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問24
- ア1回だけ電気的に書込みができる。
- イ一定時間内に再書込み（リフレッシュ動作）を行う。
- ウ書込み，消去とも電気的に行い，一括又はブロック単位で消去する。
- エ書込みは電気的に行い，消去は紫外線によって行う。
正解：ウ
解説
フラッシュメモリは，書込みと消去をいずれも電気的に行う不揮発性メモリで，一括消去またはブロック単位での消去を行うのが特徴です。1回だけ書込み可能なのはPROMの一種，一定時間ごとに再書込みが必要なのはDRAM，紫外線で消去するのはEPROMの説明であり，フラッシュメモリとは異なります。
選択肢ごとの解説
- ア誤り。1回だけ電気的に書込みができるのはPROM（ワンタイムPROMなど）の説明で，フラッシュメモリは繰返し書換えが可能です。
- イ誤り。一定時間内の再書込み（リフレッシュ動作）が必要なのはDRAMの特徴で，フラッシュメモリには当てはまりません。
- ウ正しい。フラッシュメモリは書込み・消去とも電気的に行い，一括又はブロック単位で消去する不揮発性メモリです。
- エ誤り。消去を紫外線によって行うのはEPROMの説明で，フラッシュメモリは電気的に消去します。