平成22年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問25

解説

SRAMの記憶セルは，二つの安定状態（0と1）を保持できるフリップフロップ回路で構成されています。これに対してDRAMはキャパシタに電荷を蓄えて情報を記憶する方式であり，定期的なリフレッシュ動作が必要になります。

選択肢ごとの解説

• ア誤り。ANDゲートは論理積を計算する組合せ回路の素子であり，安定状態を保持する順序回路の構成要素ではありません。
• イ誤り。加算器は算術演算を行う組合せ回路であり，状態を保持する記憶セルの構成要素ではありません。
• ウ誤り。キャパシタに電荷を蓄えて記憶するのはDRAMの記憶セルの方式で，SRAMとは異なります。
• エ正しい。フリップフロップは二つの安定状態をもつ順序回路で，SRAMの記憶セルの基本構成要素として使用されます。