平成29年度 秋期 基本情報技術者試験 午前 問21

解説

SDRAM（DRAM）は，コンデンサに電荷を蓄えるかどうかで1ビットの情報を記憶するメモリです。電荷は時間とともに漏れて消えてしまうため，定期的にリフレッシュ（再書込み）動作を行う必要があります。フリップフロップで記憶するSRAMや，フローティングゲートで記憶する不揮発性メモリ（EEPROM，フラッシュメモリ）とは記憶原理が異なります。

選択肢ごとの解説

• ア誤り。EEPROMは，トランジスタのフローティングゲートに電荷を蓄えることでデータを記憶する不揮発性メモリで，コンデンサは使いません。
• イ正しい。SDRAM（DRAM）は，コンデンサに蓄えた電荷の有無でデータを記憶するメモリです。
• ウ誤り。SRAMは，フリップフロップ（ラッチ回路）でデータを記憶するメモリで，コンデンサへの電荷蓄積は使いません。
• エ誤り。フラッシュメモリは，EEPROMと同様にフローティングゲートに電荷を蓄えて記憶する不揮発性メモリで，コンデンサは使いません。