平成29年度 秋期 ITサービスマネージャ試験 午前Ⅱ 問19
テクノロジ／コンピュータ構成要素MLC（Multi-Level Cell）フラッシュメモリの特徴として，適切なものはどれか。
出典：平成29年度 秋期 ITサービスマネージャ試験 午前Ⅱ 問19
- アコンデンサに蓄えた電荷を用いて，データを記憶する。
- イ電気抵抗の値を用いて，データを記憶する。
- ウ一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶する。
- エフリップフロップを利用して，データを記憶する。
正解：ウ
解説
MLC（Multi-Level Cell）フラッシュメモリは，一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶させる方式であり，一つのメモリセルに1ビットだけを記憶させるSLC（Single-Level Cell）と対比される技術です。これにより，同じセル数でより大きな記憶容量を実現できますが，一般にSLCに比べて書き込み速度や耐久性は劣ります。
選択肢ごとの解説
- ア誤り。コンデンサに蓄えた電荷を用いてデータを記憶するのは，DRAMの記憶方式の説明です。
- イ誤り。電気抵抗の値を用いてデータを記憶するのは，ReRAM（抵抗変化型メモリ）などの記憶方式の説明です。
- ウ正しい。MLCフラッシュメモリは，一つのメモリセルに2ビット以上のデータを記憶する方式です。
- エ誤り。フリップフロップを利用してデータを記憶するのは，SRAMの記憶方式の説明です。